12月20日音信，据Cnews报导，俄罗斯已公布自主研发的光刻机阶梯图，目标是打造比ASML 系统更经济的EUV光刻机。这些光刻机将接纳波长为11.2nm的镭射光源，而非ASML 使用的圭臬13.5nm波长。因此，新技能无法与现存EUV 基础步调相容，需要俄罗斯自行开辟配套的曝光生态系统，可能需要数年致使十年以上时辰。

该光刻机开辟运筹帷幄由俄罗斯科学院微不雅结构物理商酌所的Nikolay Chkhalo 指令，目标是制造出性能具竞争力且具资本上风的光刻机。具体来说，俄罗斯将接纳11.2nm的氙（xenon）基镭射光源，取代ASML 的基于激光轰击金属锡（tin）液滴产生EUV光源的系统。Chkhalo 暗示，11.2nm的波长能将别离率进步约20%，不仅不错简化筹画并裁减光学元件的资本，还能呈现更密致的细节。此外，该筹画可减少光学元件的欺侮，延迟收罗器和保护膜等关节零件的寿命。

俄罗斯曝光机还可使用硅基光阻剂，预期在较短波长下将具备更出色的性能施展。尽管该光刻机的晶圆制造产能仅为ASML 成就的37%，主要因为其光源功率仅3.6 千瓦，但也足以支吾小规模芯片分娩需求。

尽管11.2nm波长仍属于极点紫外线光（EUV）谱畛域，但这并非单纯的小幅疏通。因为通盘光学元件包括反射镜、涂层、光罩筹画以及光阻剂，齐需要针对新的波出息行尽头筹画与优化。因此，镭射光源、光阻化学、欺侮实现过头他缓助技能也须从头筹画，才智确保在11.2nm波长下的有用运作。

以11.2nm波长为基础的用具很难径直兼容现存以13.5nm为基础EUV 架构与生态系统，致使连电子筹画自动化（EDA）用具也需要进行更新。诚然现存EDA 用具仍可完成逻辑合成、布局和路由等基本轨范，但触及曝光的关节制程，如光罩尊府准备、光学临近纠正（OPC）妥协析度增强技能（RET），则需要从头校准或升级为稳当11.2nm的新制程模子。

据报导，该光刻机的开辟责任将分为三个阶段，第一阶段将聚焦于基础商酌、关节技能辨识与初步元件测试；第二阶段将制造每小时可照拂60 片200 毫米晶圆的原型机，并整合至国内芯片分娩线；第三阶段的目标是打造一套可供工场使用的系统，每小时可照拂60 片300 毫米晶圆。当今还不明晰这些新的曝光用具将缓助哪些制程技能，阶梯图也未提到各阶段完成的时辰表。

裁剪：芯智讯-林子